SK하이닉스가 올 하반기에는 반도체 D램의 생산성을 좌우하는 미세공정에서 경쟁사인 미국 마이크론과의 격차를 크게 벌릴 것으로 보인다.

27일 시장조사업체 아이서플라이에 따르면 SK하이닉스의 20나노 중반대(2ynm) 공정 비중(D램 fab output status)은 올해 1분기에는 1%에 불과했지만 4분기에는 31%까지 올라갈 것으로 예측됐다.

올해 전체로는 20나노 중반대 비중이 16%에 달할 것으로 조사됐다.

삼성전자는 올해 4분기에 36%, 2014년 전체로는 24%의 20나노 중반대 공정 비중을 보일 것으로 아이서플라이는 내다봤다.

반면 마이크론은 올해 4분기 20나노 중반대 공정 비중이 12%에 머무를 것으로 파악됐다. 2014년 전체로는 4%에 그칠 전망이다.

메모리 반도체 업계는 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론이 1∼3위를 달리며 과점체제를 형성하고 있다. 일본 엘피다를 인수한 마이크론은 SK하이닉스가 중국 우시공장 화재로 출하량이 줄어든 작년 4분기의 D램 매출액에서 SK하이닉스를 추월하기도 했다.

반도체 업체들의 '나노 경쟁'은 웨이퍼 원판에서 집적도를 높인 칩을 얼마나 많이 만들어내느냐는 기술력의 승부다. 20나노 후반대에서 20나노 중반대로 공정을 전환하면 30% 이상 생산성을 끌어올릴 수 있다.

다른 시장조사업체인 D램 익스체인지 최신자료에도 SK하이닉스의 25나노 공정 비중이 올해 4분기 43%에 달해 마이크론(34%)을 앞설 것으로 예측됐다.

1분기만 해도 마이크론의 25나노 공정 비중이 6%로 SK하이닉스(2%)를 앞섰지만 하반기에는 전세가 역전된다는 것이다.

마이크론은 미세공정 면에서 경쟁력이 있는 엘피다를 합병해 시너지 효과를 내고 있지만, SK하이닉스의 공정 전환 속도를 따라잡지는 못할 것이라는 전망이다.

삼성전자는 4분기 25나노 공정 비중이 70%까지 치솟아 이들 두 업체보다 월등히 앞설 것으로 점쳐졌다.

삼성전자는 노광기술을 혁신해 20나노 D램 생산에 성공했다고 지난달 발표했다. 노광이란 웨이퍼에 사진처럼 초정밀 설계도를 새기는 작업이다. 아이서플라이는 삼성전자가 내년 하반기부터는 10나노 공정에 들어갈 것으로 내다봤다.

한편, SK하이닉스는 지난 24일 기업설명회에서 "우시 공장 화재 때문에 25나노 테크로의 전환이 예상보다 지연됐다"며 "그러나 2분기부터 25나노 공정의 적정 수율에 도달하고 4분기 말에는 25나노의 비중을 50%까지 끌어올릴 수 있을 것이다"고 설명했다.