삼성전자가 세계 최초로 50나노급 공정을 적용한 2GB DDR3 D램 개발에 성공해 10월부터 양산할 예정이라고 29일 밝혔다. 이에 따라 삼성은 DDR2 제품이 주를 이루고 있던 고용량 D램 제품 시장을 DDR3 제품이 빠른 속도로 대체해 나갈 것으로 전망하고 있다.

50나노 2GB DDR3는 2007년 삼성이 개발한 60나노 2GB DDR2 D램의 최대 속도인 800Mbps(초당 800메가비트의 데이터 처리) 대비 약 1.6배인 1.333Gbps(1,333Mbps)를 구현하며, 단품 칩의 크기가 작아져 생산 효율도 기존 대비 60% 이상 향상됐다고 삼성은 설명했다.

▲ 삼성이 개발한 2GB DDR 램. 원가와 전력 절감 효과가 있다.

삼성은 이번에 개발한 2GB D램 솔루션으로 고용량 DDR3 모듈을 양산, 서버용 8GB RDIMM, 워크스테이션 및 데스크탑 PC용 4GB UDIMM, 노트북용 4GB SODIMM 등을 제작해 다양한 곳에 메모리 솔루션 용량 확대를 가속화할 예정이다.

삼성에 따르면, 2GB DDR3는 기존 2GB DDR2 D램 단품이나, 1GB DDR3 D램의 경우처럼 패키지 적층 기술(DDP/QDP)을 적용하지 않아도 돼 원가를 절감할 수 있고, 전력 절감은 물론 발열량을 줄여주는 효과가 있다.

삼성은 50나노급 2GB DDR3 D램 출시를 계기로 PC 시장에서 프리미엄 서버 시장에 이르기까지, 향후 수년 이내 D램 시장의 주력 제품이 될 2기가 DDR3 제품군에서 확실한 주도권을 확보하게 될 것으로 분석하고 있다.

앞으로도 삼성은 고객의 요구에 대응하는 고용량/고성능 제품을 선행 출시하여 고부가가치 D램 시장을 확대하고, 시장 선점을 통해 경쟁 우위를 지속 유지해 나갈 방침이다.