SK하이닉스가 스마트폰용 모바일 D램의 성능을 한 단계 끌어올릴 수 있는 6Gb(기가비트) LPDDR3 칩을 세계 최초로 개발했다고 30일 밝혔다.

이 제품을 4단으로 쌓으면 3GB(기가바이트·24Gb) 용량의 모바일 D램을 만들 수 있다.

이는 삼성전자가 지난 7월 세계 최초로 양산에 들어간, 4Gb 칩 6개를 쌓아 만든 3GB 모바일 D램보다 진일보한 것이다.

6Gb 칩으로 이뤄진 3GB D램은 4Gb로 만든 것보다 전력 소모를 줄여 저전력·고용량의 특성을 요구하는 모바일 기기에 더욱 최적화된 메모리 솔루션을 구현할 수 있다.

SK하이닉스는 이 제품을 고객들에게 샘플로 공급하기 시작했으며 내년 초 양산에 들어갈 계획이다.

이번에 개발한 6Gb 칩에는 최첨단 20나노미터(nm·1nm=10억분의 1ｍ)급 공정 기술이 적용됐다.

데이터 처리 속도는 1천866Mbps로 32개의 정보출입구(I/O)를 통해 싱글 채널은 최대 초당 7.4GB(기가바이트), 듀얼 채널은 14.8GB의 데이터를 처리할 수 있다.

또 하나의 패키지 위에 다른 기능을 하는 패키지를 적층하는 'PoP(Package on Package)' 방식으로 모바일기기에 적용할 수 있다.

현재 스마트폰에는 2GB D램이 주력으로 탑재되고 있으며, 3GB D램은 내년 상반기부터 본격 채용될 것으로 전망된다.

실제로 갤럭시S4와 LG[003550] G2 등에는 현재 2GB D램이 쓰이고 있으며 지난달 말 출시된 갤럭시노트3부터 3GB D램이 사용되기 시작했다.

SK하이닉스 마케팅본부장 진정훈 전무는 "지난 6월 세계 최초로 8Gb LPDDR3를 개발한 데 이어 이번에 6Gb LPDDR3 제품을 개발해 고용량 모바일 D램의 경쟁력을 더욱 강화할 수 있게 됐다"고 말했다.