삼성전자가 29일 집적도를 높일 수 있는 2세대 3차원 수직구조 낸드플래시 메모리인 '32단 3D V낸드 메모리'를 세계 최초로 양산하기 시작했다고 밝혔다.

이 제품은 지난해 첫선을 보인 24단 적층구조의 1세대 3D V낸드에 비해 셀(데이터 저장단위) 적층 수를 32단으로 30% 이상 높였다.

2세대 3D V낸드는 신규 설비 투자 없이 기존 1세대 설비를 활용해 양산할 수 있는 데다, 적층 수를 높이는 것만으로 집적도를 끌어올릴 수 있어 원가 경쟁력을 크게 향상시킬 것으로 삼성전자는 보고 있다.

기존 낸드플래시는 40여년 전 개발된 단층의 셀 구조로 이뤄져 있는데 셀 간격을 좁힐 때 발생하는 간섭현상 때문에 미세화 기술이 한계에 도달한 상태다.

▲ 삼성전자가 처음 양산에 들어간 2세대 3차원 수직구조 낸드플래시 메모리인 '32단 3D V낸드 메모리'.

삼성전자는 단층으로 배열된 셀을 수직으로 쌓아올리는 구조의 혁신을 통해 이 문제를 해결해, 지난해 8월부터 세계 최초로 새로운 구조의 3D V낸드를 양산하기 시작했다.

삼성전자는 2세대 3D V낸드 양산과 동시에 이를 적용한 프리미엄 PC용 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 출시했다고 밝혔다.

삼성전자는 지난해 1세대 3D V낸드 기반의 기업 서버용 SSD를 출시했으나 3D V낸드를 적용한 PC용 SSD를 내놓은 것은 처음이다.

이번에 출시한 제품은 기존 평면구조 MLC(멀티레벨셀) 낸드플래시 기반의 SSD에 비해 신뢰도 수명은 2배 늘리면서 전력 소비량은 20% 절감할 수 있다고 삼성전자는 설명했다.

시장조사기관 가트너는 세계 메모리반도체 시장이 올해 755억 달러에서 2017년 797억 달러로 연평균(CAGR) 4% 성장하는 반면 낸드플래시는 317억 달러에서 446억 달러로 연평균 12% 성장할 것으로 예상하고 있다. 이 경우 메모리반도체 시장에서 차지하는 낸드플래시 비중은 올해 42%에서 56%로 확대될 전망이다.