SK하이닉스와 삼성전자가 데이터 전송속도를 2배로 높이고 동작전압은 낮춘 차세대 모바일 메모리 '8Gb(기가비트) LPDDR4(Low Power DDR4)'를 개발했다고 30일 밝혔다.

20나노급 기술을 적용한 이 제품은 현재 시장 주력인 LPDDR3의 1천600Mbps보다 2배 빠른 3천200Mbps의 데이터 전송속도를 구현한다. 또 동작전압도 LPDDR3의 1.2V에서 1.1V로 낮췄다. 소비전력은 40% 줄일 수 있다.

LPDDR4는 표준화가 진행 중인 차세대 모바일 D램 규격으로 내년 말부터 플래그십 모바일 기기에 사용되기 시작해 2016년부터는 주력제품이 될 것으로 예상된다.

모바일 D램 시장이 LPDDR3에서 LPDDR4로 세대교체를 할 전망이다.

SK하이닉스는 제품 샘플을 주요 고객사와 시스템온칩(SoC) 업체에 제공하고 내년 하반기부터 양산할 계획이다.

SK하이닉스 진정훈 마케팅본부장은 "차세대 모바일 표준인 LPDDR4의 기술 리더십을 공고히 했다"며 "고용량·초고속·저전력 제품 개발을 통해 모바일 분야 경쟁력을 더 강화하겠다"고 말했다.

삼성전자는 이번에 개발한 칩 4개를 쌓아 4GB(기가바이트) D램을 구성할 수 있다고 설명했다.

삼성전자는 이번 메모리 개발을 계기로 내년에는 풀HD보다 4배 선명한 초고화질 UHD를 지원하는 대화면 스마트폰, 태블릿, 울트라슬림 노트북과 고성능 네트워크 등 프리미엄 시장을 본격 공략할 계획이다.

삼성전자 메모리사업부 전영현 전략마케팅팀장은 "차세대 LPDDR4는 모바일 D램의 지속 성장에 크게 기여할 것"이라며 "앞으로 차세대 모바일 D램과 솔루션을 한발 앞서 출시해 글로벌 모바일 업체들이 혁신적인 기기를 내놓을 수 있도록 하겠다"고 말했다.